尋找多余物和外來沾污物如殘留金絲，芯片邊緣碎裂留下的硅碴，焊料碴，口水星子（高溫存放后常呈現(xiàn)棕黃色小圓點），水漬，殘存光刻膠，灰塵。 2&fIF}vk>m  
判斷金屬化層表面有無鈍化層。如果方形鍵合電極周圍有方框則說明表面有鈍化層，與鍵合點下的電極相比有明顯的色差。同時有鈍化層時的芯片各擴散區(qū)之間的顏色不如無鈍化層時鮮艷，如果鈍化層呈現(xiàn)淺黃色，說明鈍化層是聚酰亞胺有機涂層。 *1iJa  
根據(jù)顏色尋找工藝缺陷。芯片表面的二氧化硅鈍化層不同的厚度有不同的干涉顏色，如灰0.01微米，黃褐色0.03微米，茶色0.05微米,藍0.08微米，紫色0.1微米,綠色0.18微米,黃色0.21微米,橙色0.22微米,紅色0.25微米(指一次干涉顏色)，故根據(jù)芯片表面的顏色可判斷不同擴散區(qū)，或根據(jù)芯片表面上反常的顏色斑點來判斷鈍化層和光刻/擴散缺陷。 Y}(#kqh>  
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根據(jù)幾何形狀判斷。   可判斷線路設(shè)計結(jié)構(gòu)缺陷，金屬化傷痕和裂斷，金屬化燒毀，鍵合點形狀和位置，鍵合線與芯片的夾角，MOS管的溝道露出，接觸孔的覆蓋情況，芯片缺口或裂縫接近有源區(qū)，芯片安裝方向和焊料多少。 ry}CND(nB  
    通�？设b別出的失效模式或機理如下： w C]yE\P1
 
①過電應(yīng)力引起的鍵合線或金屬化的開路或短路，以及較輕的電損傷痕跡如靜電擊穿點。
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②鍵合線或金屬化焊接區(qū)的開路及短路。 m<005_Z0Q  
③金屬電遷移。 Uj}iMw,  
④金屬化缺損或剝皮。 Z[KXDQn8  
⑤封裝內(nèi)部的金屬腐蝕。 ~$w-I\Q!  
⑥氧化層污染，變色，缺陷，裂縫。 l<)(iU  
⑦芯片表面或芯片襯底的裂縫。 bnLvJ]i)  
⑧掩模未套準。 S*rgYe!E  
⑨外來多余物，特別是導(dǎo)電的可動多余物。 4lC:svF  
⑩鍵合位置不良。 UzFd@W u#  
⑾管腳腐蝕或鍍層脫落。 ~Bn#AkL  
⑿經(jīng)過介質(zhì)層或氧化層的短路。 C)`ZI8  
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