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任務(wù)
emmi 對(duì)于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當(dāng)有用，且效率極高的分析工具，主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會(huì)放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時(shí)N的電子很容易擴(kuò)散到P， 而P的空穴也容易擴(kuò)散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。 偵測(cè)到亮點(diǎn)之情況 會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理?yè)p傷等。 偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況 不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面 反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。 點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。  測(cè)試范圍： 故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn) 測(cè)試內(nèi)容： 1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題 |
