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失效分析漏電定位技術(shù) 對(duì)于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當(dāng)有用，且效率極高的分析工具，主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會(huì)放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時(shí)N的電子很容易擴(kuò)散到P， 而P的空穴也容易擴(kuò)散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。  偵測(cè)到亮點(diǎn)之情況 會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應(yīng)；4閂鎖效應(yīng)； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理?yè)p傷等。 偵測(cè)不到亮點(diǎn)之情況 不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)之故障：1.亮點(diǎn)位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線(xiàn)底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面 反型層；5.硅導(dǎo)電通路等。 點(diǎn)被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線(xiàn)底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。 測(cè)試范圍： 故障點(diǎn)定位、尋找近紅外波段發(fā)光點(diǎn) 測(cè)試內(nèi)容： 1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問(wèn)題 北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)檢驗(yàn)中心（簡(jiǎn)稱(chēng)：北軟檢測(cè)）成立于2002 年7月，是經(jīng)北京市編辦批準(zhǔn)，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)和北京市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局聯(lián)合成立的事業(yè)單位。2004年1月，國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局批準(zhǔn)在北軟檢測(cè)基礎(chǔ)上籌建國(guó)家應(yīng)用軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心（簡(jiǎn)稱(chēng)：國(guó)軟檢測(cè)），2004年10月國(guó)軟檢測(cè)通過(guò)驗(yàn)收并正式獲得授權(quán)，成為我國(guó)第一個(gè)國(guó)家級(jí)的軟件產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)。 中心依據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) ISO/IEC 17025：2005《檢測(cè)和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則》和ISO 9001：2015《質(zhì)量管理體系要求》建立了嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量體系，擁有一流的軟件測(cè)試平臺(tái)，2600平方米的測(cè)試場(chǎng)地，1000多臺(tái)套的測(cè)試設(shè)備和上百人的專(zhuān)業(yè)測(cè)試工程師隊(duì)伍。目前具有資質(zhì)認(rèn)定計(jì)量認(rèn)證（CMA）、資質(zhì)認(rèn)定授權(quán)證書(shū)（CAL）、實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書(shū)（CNAS）、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)認(rèn)可證書(shū)（CNAS）、信息安全風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估服務(wù)資質(zhì)認(rèn)證證書(shū)（CCRC），信息安全等級(jí)保護(hù)測(cè)評(píng)機(jī)構(gòu)（DJCP）、ISO 9001：2015質(zhì)量管理體系認(rèn)證、ISO/IEC 27001：2013信息安全管理體系認(rèn)證等各種資質(zhì)。 |
