EMMI（微光顯微鏡） G,mH!lSm,  
對于失效分析而言，微光顯微鏡是一種相當有用，且效率極高的分析工具，主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination會放出光子，例如：在PN Junction加偏壓，此時N的電子很容易擴散到P， 而P的空穴也容易擴散至N，然后與P端的空穴做EHP Recombination。 L]L~TA<D9i  
偵測到亮點之情況 !Z0rTC3d  
會產(chǎn)生亮點的缺陷：1.漏電結(jié)；2.解除毛刺；3.熱電子效應；4閂鎖效應； 5氧化層漏電；6多晶硅須；7襯底損失；8.物理損傷等。 偵測不到亮點之情況 不會出現(xiàn)亮點之故障：1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置）；2.歐姆接觸；3.金屬互聯(lián)短路；4.表面 反型層；5.硅導電通路等。 {eD>E(Y@z1  
點被遮蔽之情況：埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置，這種情 況可采用Backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及 拋光處理。 .xc/2:m9  
7&;jje[ <g  
測試范圍： 2'UFHiK  
故障點定位、尋找近紅外波段發(fā)光點 UV *tO15i  
測試內(nèi)容： a@a1TpLQ  
1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰 &Ow?Hd0  
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 ^?S@v1~7d  
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) +<9q]
V  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問題