1. LPCVD簡(jiǎn)介 Y~</vz+H  
@LzqQ[  
LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition低壓力化學(xué)氣相沉積，是化學(xué)氣相沉積中的一種，LPCVD擁有很均勻的階梯覆蓋性、很好的組成成分和結(jié)構(gòu)的控制、高的output（通常一次可以生長(zhǎng)50pcs甚至更多），另外LPCVD不需要載氣，因此大大降低了顆粒的污染； bvu
oo/  
在半導(dǎo)體制程中，采用低壓的目的是減小自摻雜（來自襯底本身的雜質(zhì)），而這正是常壓CVD面臨的主要問題，LPCVD可以很好的解決這一問題。 t#Q" ;e  
Kc>C$}/}$  
2. LPCVD一般工藝流程 q Z,7q  
JMUk=p<\  
裝片——進(jìn)舟——反應(yīng)腔室抽真空——充N2吹掃并升溫——再抽真空——保持壓力穩(wěn)定后process——關(guān)閉氣體并重新抽真空——充N2至常壓——取片。 KVvzVQ1