復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件
當(dāng)前MOSFET器件的持續(xù)微縮所帶來的功耗問題已經(jīng)成為制約集成電路發(fā)展的主要瓶頸。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院及美國喬治梅森大學(xué),合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負(fù)量子電容晶體管器件。研究成果在第68屆國際電子器件大會(huì)上發(fā)表。
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院消息顯示,該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng),通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。該工作中,通過對(duì)器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性,及超過106的開關(guān)比,有效降低器件靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗。同時(shí)結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機(jī)理,為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑。 該項(xiàng)研究工作得到國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目資助。 |
最新評(píng)論
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譚健 2022-12-11 18:36復(fù)旦大學(xué)了不起.
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光學(xué)白小白 2022-12-11 20:14低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件
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jeremiahchou 2022-12-11 20:51復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院消息顯示,該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負(fù)電子壓縮效應(yīng),通過柵極電壓調(diào)控形成負(fù)量子電容。該工作中,通過對(duì)器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性,及超過106的開關(guān)比,有效降低器件靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗。同時(shí)結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機(jī)理,為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑。
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tomryo 2022-12-12 07:00復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管
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zeno 2022-12-12 08:39
復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件
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夢夕 2022-12-12 08:40合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負(fù)量子電容晶體管器件
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雨后無文 2022-12-12 08:51為未來高速低功耗晶體管器件技術(shù)的發(fā)展提供新路徑
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楊森 2022-12-12 08:52該項(xiàng)研究工作得到國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目資助
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wheo2022 2022-12-12 08:58復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件
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honestccw 2022-12-12 09:06了解一下