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復旦大學研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件 復旦大學微電子學院消息顯示，該工作利用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負電子壓縮效應，通過柵極電壓調(diào)控形成負量子電容。該工作中，通過對器件柵極疊層結(jié)構(gòu)以及制備工藝的優(yōu)化，實現(xiàn)最小31mV/dec的亞閾值擺幅和可忽略的滯回特性，及超過106的開關比，有效降低器件靜態(tài)與動態(tài)功耗。同時結(jié)合理論仿真揭示了器件陡峭亞閾值擺幅的形成機理，為未來高速低功耗晶體管器件技術的發(fā)展提供新路徑。 該項研究工作得到國家自然科學基金等項目資助。 |
最新評論
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tomryo 2022-12-11 07:00復旦大學研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件
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redplum 2022-12-11 08:48很理化
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likaihit 2022-12-11 08:48很不錯啊
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瑤臺飛鏡 2022-12-11 08:54用單層石墨烯在低態(tài)密度條件下產(chǎn)生的負電子壓縮效應，通過柵極電壓調(diào)控形成負量子電容。
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copland 2022-12-11 09:04低功耗負量子電容場效應晶體管器件
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六佰 2022-12-11 10:34合作提出一種具有陡峭亞閾值擺幅的負量子電容晶體管器件
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bairuizheng 2022-12-11 14:50看看新聞
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szlsft 2022-12-11 15:29為未來高速低功耗晶體管器件技術的發(fā)展提供新路徑,祝賀！
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wangjin001x 2022-12-11 15:36復旦大學研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件
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譚健 2022-12-11 18:32很不錯啊