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我國(guó)在中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)方面取得突破

發(fā)布:cyqdesign 2023-10-16 18:29 閱讀:374
近日,中國(guó)散裂中子源(CSNS)探測(cè)器團(tuán)隊(duì)利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置,成功制備出滿足中子探測(cè)器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品,單片面積達(dá)到1500mm×500mm,薄膜厚度1微米,全尺寸范圍內(nèi)厚度均勻性優(yōu)于±1.32%,是目前國(guó)際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜。 "?Mf%u1R  
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據(jù)了解,經(jīng)過(guò)多年技術(shù)攻關(guān)和工藝試制,團(tuán)隊(duì)攻克了濺射靶材制作、過(guò)渡層選擇、基材表面處理等對(duì)鍍膜質(zhì)量影響大的關(guān)鍵技術(shù),利用該裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜,并成功應(yīng)用于CSNS多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國(guó)產(chǎn)化,為接下來(lái)研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。
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