NEC開(kāi)發(fā)成功了可將光信號(hào)高速轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的硅發(fā)光二極管，并在“國(guó)際納米綜合展·技術(shù)會(huì)議（nano tech 2005）”上展出。通過(guò)采用硅材料生產(chǎn)，不僅可以減小光通信系統(tǒng)的體積、實(shí)現(xiàn)低成本，而且將來(lái)還有望在LSI內(nèi)部的光布線中使用。  8"i/wMP]  
-D#5o,]3  
　　一般情況下，硅發(fā)光二極管與InP（磷化銦）等制成的化合物半導(dǎo)體相比，光吸收率及載流子遷移率較低，因此很難提高靈敏度。而此次通過(guò)在傳感器上部設(shè)置銀制天線、利用稱為表面等離子體諧振（Surface Plasmon Resonance）現(xiàn)象生成了很強(qiáng)的近場(chǎng)光，從而解決了這一問(wèn)題。另外，通過(guò)大幅減小元件體積，降低了寄生電阻和寄生電容，從而實(shí)現(xiàn)了可與20GHz化合物半導(dǎo)體媲美的高速特性。這樣，便實(shí)現(xiàn)了比原來(lái)的硅二極管快1位數(shù)以上的應(yīng)答速度，今后通過(guò)改進(jìn)元件構(gòu)造，理論上還可實(shí)現(xiàn)100GHz以上的超高速信號(hào)傳輸。