芯片漏電是失效分析案例中最常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). jNa'l<dn]  
E/</
  
目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請了專#利（日本OBIRCH、美國TIVA、新加坡VBA）。國內(nèi)大多數(shù)人認為只有OBIRCH才是激光誘導(dǎo)，其實TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術(shù)。三種技術(shù)都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測出哪個位置的阻抗有較明顯變化，這個位置就可能是漏電位置。偵測阻抗變化就是用電壓和電流來反映，下面是三個技術(shù)原理： hI{M?LQd  
Z;bg;@r|  
1、OBIRCH和TIVA pIy+3&\e;  
|i7j}i  

圖片:圖片1.png

s*k[Fbi  
如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V代表回路上的電壓。 b+.P4+  
8f37o/L  
OBIRCH；給器件回路加上一個電壓V，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測回路電流I1的變化. El
$yM.M"  
2}P?N  
TIVA：給器件回路加上一個微小電流I1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測回路電壓V的變化. b]Xc5Dp{  
*uq;O*s  
2、VBA技術(shù) t
_PAXj  
G92Ya^`  

圖片:圖片2.png

nmn 8Y V1  
{>E`Zf:  
如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V1代表回路上的電壓，R2是串聯(lián)在回路中的一個負載，V2是R2兩端的電壓。 Rs0O4.yi;@  
CVp`G"W:  
VBA：給器件回路加上一個電壓V1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測V2的變化(V2/R2=I1，其實也是監(jiān)測I1的變化），這樣大家可以看出來了，VBA其實就是OBIRCH，只是合理回避了NEC專#利。（原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處）