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掃描式電子顯微鏡(SEM)技術(shù)原理

發(fā)布:探針臺 2019-08-05 13:53 閱讀:1950
掃描式電子顯微鏡(SEM)技術(shù)原理 S &JJIFftO  
電子顯微鏡是表面微細(xì)結(jié)構(gòu)觀察最快速有效的方法,對樣品表面及橫截面做微區(qū)放大觀察及元件尺寸量測,放大倍率可達(dá)數(shù)十萬倍,另加裝的X光能譜散布分析儀(Energy Dispersive Spectrometry of X-ray, EDS),則可以對微區(qū)材料做定性及半定量分析,對材料組成或異物成份分析有莫大的幫助。 \DA$6w\\  
掃描式電子顯微鏡(SEM) Bf]$X>d  
分析應(yīng)用 1pP1d%  
1. 對所有類型樣品提供表面及橫截面微細(xì)結(jié)構(gòu)觀察及分析。 Pl+xH%U+?  
2. 針對多層結(jié)構(gòu)樣品提供精準(zhǔn)的膜厚量測及標(biāo)示。 ~ y;y(4<  
3. 藉由EDSX光譜線分析對材料做定性及半定量分析或特定區(qū)域的點,線,面的成份分布分析。 `qiQ$kz  
4. 藉由低加速電壓的電子束掃描做被動式電壓對比(Passive Voltage Contrast, PVC),可偵測漏電或高阻值的位置,提供異常分析之判斷。 phP> 3f.T  
5. 樣品藉由層次去除技術(shù)(Delayer),提供SEM電路自動連拍拼接生成的圖檔,可以與光學(xué)顯微鏡生成的圖檔做縱向連結(jié),提供電路還原逆向工程之參考。 ( 9$"#o  
6. 配合微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)光束引導(dǎo)熱電子感應(yīng)儀(Optical Beam Induced Resistance Change, OBIRCH)偵錯,定位故障異常結(jié)構(gòu)之位置,利用各種顯微切割手術(shù),進(jìn)行精密解析,找出故障原因。 *Msr15  
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